Москва
Заказать звонок Новости О компании Пн–Пт 9:00–18:00
Каталог
Автоматизация Акустика Беспроводное оборудование Готовые изделия Датчики Диоды и тиристоры Заказные позиции Измерительные приборы Индуктивные компоненты Инструмент Источники питания Кабельно-проводниковая продукция и изделия для прокладки кабеля Кварцы, фильтры, осцилляторы Конденсаторы Крепеж и метизы Микросхемы Низковольтное оборудование Оптоэлектроника Паяльное оборудование Переключатели Промышленная автоматизация Разъемы, Соединители Резисторы Реле Светотехнические изделия Соединители для электротехники, компоненты АСУТП Средства разработки, конструкторы Транзисторы Устройства защиты Щитовое оборудование Электромеханические компоненты Электрооборудование Электротехника Degson Электроустановочное оборудование Все товары →
Войти Избранное Сравнить Корзина
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 30A TO-263

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 30A TO-263

Артикул: YJB30GP10A Производитель: YangJie

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 30A TO-263

67,80 ₽ от 1 шт
Цена зависит от количества
КоличествоЦена за шт
от 1 шт67,80 ₽
от 41 шт61,53 ₽
от 81 шт56,55 ₽
от 162 шт52,47 ₽
от 323 шт49,41 ₽
В наличии: 478 шт · отгрузка 1–3 дня

Характеристики

АртикулYJB30GP10A
ПроизводительYangJie
РазделОдиночные MOSFET транзисторы
Наличие478 шт на складе
Вес1 г
В упаковке, шт800
Единица измеренияшт
Мин. заказ7
УпаковкаTape and Reel (лента в катушке)

Похожие товары

Весь раздел →
WMO80R1K5S
N-ch Power MOSFET 800 V, 1,26 Ohm, 5 A.
В наличии: 359 шт · отгрузка 1–3 дня
76,50 ₽
P-Channel MOSFET; -20 V; 2,3 A
WM02P23M
P-Channel MOSFET; -20 V; 2,3 A
В наличии: 2910 шт · отгрузка 1–3 дня
5,25 ₽
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXFH34N65X2
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
В наличии: 66 шт · отгрузка 1–3 дня
554,31 ₽
WM03P91A
WM03P91A
WM03P91A
В наличии: 230 шт · отгрузка 1–3 дня
6,57 ₽
Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 3 А, Rот.(мин) 86 мОм, Rот.при Uз(ном), min 86 мОм, Rот.при Uз(ном), max 100 мОм, диап. Uз мин. 2.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 16 В, Qз 13.8 нКл, Р=1.2 Вт, 0.1ohm, Сз=451пФ
YJL03N06B
Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 3 А, Rот.(мин) 86 мОм, Rот.при Uз(ном), min 86 мОм, Rот.при Uз(ном), max 100 мОм, диап. Uз мин. 2.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 16 В, Qз 13.8 нКл, Р=1.2 Вт, 0.1ohm, Сз=451пФ
В наличии: 1930 шт · отгрузка 1–3 дня
5,92 ₽
Полевой MOSFET транзистор N-канальный 150В 87А 9,3мОм SuperSO8
BSC093N15NS5ATMA1
Полевой MOSFET транзистор N-канальный 150В 87А 9,3мОм SuperSO8
В наличии: 537 шт · отгрузка 1–3 дня
123,33 ₽
Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
IRF1010NSTRLPBF
Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
В наличии: 191 шт · отгрузка 1–3 дня
129,25 ₽
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А
IRFH7084TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А
В наличии: 3352 шт · отгрузка 1–3 дня
79,72 ₽