Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Артикул: FF150R12RT4HOSA1 Производитель: INF
9205,00 ₽ от 1 шт
Цена зависит от количества
КоличествоЦена за шт
от 1 шт9205,00 ₽
от 2 шт8843,84 ₽
от 3 шт8563,26 ₽
от 6 шт8375,57 ₽
от 10 шт8210,45 ₽
В наличии: 162 шт · отгрузка 1–3 дня

Характеристики

АртикулFF150R12RT4HOSA1
ПроизводительINF
РазделСиловые модули IGBT
Наличие162 шт на складе
Вес182 г
В упаковке, шт10
Единица измеренияшт
Мин. заказ1
УпаковкаTray (палетта)

Аналоги и замены

Взаимозаменяемые компоненты

Смотрите также

Весь раздел →