|
RD06HHF1-501 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 30МГц Tch=150°C |
MIT |
27 шт отгрузка 1–3 дня |
1101,35 ₽ |
|
|
RD16HHF1-501 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C |
MIT |
331 шт отгрузка 1–3 дня |
903,42 ₽ |
|
|
|
RD01MUS2-T513 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 7.2 В 1 Вт 520МГц Tch=150°C |
MIT |
595 шт отгрузка 1–3 дня |
91,81 ₽ |
|
|
BF998E6327HTSA1 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 12В 30мА 200мВт 1ГГц Tch=150°C |
INF |
7078 шт отгрузка 1–3 дня |
30,83 ₽ |
|
|
MMBFU310LT1G |
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт |
ONS |
754 шт отгрузка 1–3 дня |
26,04 ₽ |
|
|
MMBF5457 |
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт |
ONS |
3167 шт отгрузка 1–3 дня |
36,12 ₽ |
|
|
MMBFJ270 |
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт |
ONS |
2916 шт отгрузка 1–3 дня |
30,98 ₽ |
|
|
MMBFJ176 |
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт |
ONS |
1961 шт отгрузка 1–3 дня |
45,79 ₽ |
|
|
MMBFJ202 |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом N-канальный 40В 350мВт |
ONS |
1161 шт отгрузка 1–3 дня |
26,49 ₽ |
|
|
MMBF4391LT1G |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В |
ONS |
3000 шт отгрузка 1–3 дня |
20,54 ₽ |
|
|
MMBF4392LT1G |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт |
ONS |
2077 шт отгрузка 1–3 дня |
21,53 ₽ |
|
|
MMBF4393LT1G |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт |
ONS |
4565 шт отгрузка 1–3 дня |
19,38 ₽ |
|
|
MMBFJ112 |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт |
ONS |
7097 шт отгрузка 1–3 дня |
21,67 ₽ |
|
|
MMBFJ113 |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт |
ONS |
3290 шт отгрузка 1–3 дня |
23,20 ₽ |
|
|
J113 |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт |
ONS |
335 шт отгрузка 1–3 дня |
28,20 ₽ |
|
|
MMBFJ201 |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт |
ONS |
6057 шт отгрузка 1–3 дня |
23,51 ₽ |
|
|
BSR58 |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 8 мА, 0.25Вт |
ONS |
2967 шт отгрузка 1–3 дня |
31,42 ₽ |
|
|
MMBFJ177LT1G |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 0.225 Вт |
ONS |
27972 шт отгрузка 1–3 дня |
17,16 ₽ |
|
|
MMBFJ175LT1G |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт |
ONS |
1840 шт отгрузка 1–3 дня |
28,39 ₽ |
|
|
IRFH7084TRPBF |
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А |
INF |
3352 шт отгрузка 1–3 дня |
79,72 ₽ |
|
|
|
IXFN110N60P3 |
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 90 А, 1500 Вт |
Littelfuse |
30 шт отгрузка 1–3 дня |
5658,37 ₽ |
|
|
SP8M3 |
Полевой транзистор, N/P-канальный, 30 В, 5 А, 2 Вт |
ROHM |
485 шт отгрузка 1–3 дня |
45,09 ₽ |
|
|
BF862,215 |
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В |
NXP |
2008 шт отгрузка 1–3 дня |
434,82 ₽ |
|
|
BF513,215 |
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт |
NXP |
51 шт отгрузка 1–3 дня |
37,77 ₽ |
|
|
MMBFJ309LT1G |
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт |
ONS |
10713 шт отгрузка 1–3 дня |
18,58 ₽ |
|
|
MMBFJ310LT1G |
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт |
ONS |
2970 шт отгрузка 1–3 дня |
25,97 ₽ |
|
|
MMBF5486 |
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт |
ONS |
842 шт отгрузка 1–3 дня |
19,01 ₽ |
|
|
MMBF5484 |
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт |
ONS |
3745 шт отгрузка 1–3 дня |
21,03 ₽ |
|
|
MMBF5485 |
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 225мВт |
ONS |
2143 шт отгрузка 1–3 дня |
31,25 ₽ |
|
|
MGC75D12A1-251H3 |
Полумоcтовой модуль IGBT 150А 1200В |
TechSem |
1 шт отгрузка 1–3 дня |
2304,58 ₽ |
|
|
XNG450B24LC5AL |
Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A |
Xiner |
70 шт отгрузка 1–3 дня |
7443,29 ₽ |
|
|
XNG450B24KC2S |
Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A 62мм |
Xiner |
2 шт отгрузка 1–3 дня |
11149,69 ₽ |
|
|
MGC50D12A1-251H3 |
Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В |
TechSem |
1 шт отгрузка 1–3 дня |
2847,98 ₽ |
|
|
IRF7907TRPBF |
Сборка двух N-канальных полевых транзисторов 30V 9.1A/11A 8-SOIC |
INF |
821 шт отгрузка 1–3 дня |
142,22 ₽ |
|
|
|
WM03DH60A |
Сборка из 2-х полевых транзисторов MOSFET N+P-канальный напряжение сток-исток 30В, ток стока 5.8A |
WAYON |
2284 шт отгрузка 1–3 дня |
15,02 ₽ |
|
|
|
WMS10DN03T1 |
Сборка из 2-х полевых транзисторов MOSFET N-канальные напряжение сток-исток 30В, ток стока 10A |
WAYON |
2314 шт отгрузка 1–3 дня |
28,81 ₽ |
|
|
|
WMS14DN03T1 |
Сборка из 2-х полевых транзисторов MOSFET N-канальные напряжение сток-исток 30В, ток стока 14A |
WAYON |
669 шт отгрузка 1–3 дня |
23,51 ₽ |
|
|
VBZA9945 |
Сборка из 2-х полевых транзисторов MOSFET N-канальные напряжение сток-исток 60В |
VBsemi |
476 шт отгрузка 1–3 дня |
52,84 ₽ |
|
|
|
WMS08DN06TS |
Сборка из 2-х полевых транзисторов MOSFET N-канальные напряжение сток-исток 60В, ток стока 8A |
WAYON |
1120 шт отгрузка 1–3 дня |
17,84 ₽ |
|
|
|
WMS09DP03TS |
Сборка из 2-х полевых транзисторов MOSFET P-канальные напряжение сток-исток 30В, ток стока 9A |
WAYON |
890 шт отгрузка 1–3 дня |
31,91 ₽ |
|