|
IRF7530TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 |
INF |
170 шт отгрузка 1–3 дня |
277,19 ₽ |
|
|
IRL6372TRPBF |
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC |
INF |
1197 шт отгрузка 1–3 дня |
93,60 ₽ |
|
|
STS1DNC45 |
MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC |
STM |
839 шт отгрузка 1–3 дня |
140,50 ₽ |
|
|
IRF9362TRPBF |
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC |
INF |
3782 шт отгрузка 1–3 дня |
101,60 ₽ |
|
|
|
HYG015N10NS1TA |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 100V/380A, Rds(on)=1.2 mΩ(typ.)@VGS = 10V |
HUAYI |
500 шт отгрузка 1–3 дня |
271,39 ₽ |
|
|
|
WMO80R1K5S |
N-ch Power MOSFET 800 V, 1,26 Ohm, 5 A. |
WAYON |
359 шт отгрузка 1–3 дня |
81,49 ₽ |
|
|
WM02P23M |
P-Channel MOSFET; -20 V; 2,3 A |
WAYON |
2910 шт отгрузка 1–3 дня |
5,60 ₽ |
|
|
IXFH34N65X2 |
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Littelfuse |
66 шт отгрузка 1–3 дня |
581,69 ₽ |
|
|
WM03P91A |
WM03P91A |
WAYON |
230 шт отгрузка 1–3 дня |
7,00 ₽ |
|
|
YJL03N06B |
Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 3 А, Rот.(мин) 86 мОм, Rот.при Uз(ном), min 86 мОм, Rот.при Uз(ном), max 100 мОм, диап. Uз мин. 2.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 16 В, Qз 13.8 нКл, Р=1.2 Вт, 0.1ohm, Сз=451пФ |
YangJie |
910 шт отгрузка 1–3 дня |
6,31 ₽ |
|
|
TPD3215M |
Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт |
TRANSPH |
1 шт отгрузка 1–3 дня |
6674,83 ₽ |
|
|
IRF300P226 |
Модуль силовой MOSFET N-канальный 300В 100A 556Вт |
INF |
43 шт отгрузка 1–3 дня |
780,53 ₽ |
|
|
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 |
Модуль силовой SiC MOSFET N-канальный 1.2KВ 50A |
INF |
6 шт отгрузка 1–3 дня |
10000,82 ₽ |
|
|
FF2MR12KM1PHOSA1 |
Модуль силовой SiC MOSFET сдвоенный N-канальный 1200В лоток |
INF |
4 шт отгрузка 1–3 дня |
83608,18 ₽ |
|
|
BSC093N15NS5ATMA1 |
Полевой MOSFET транзистор N-канальный 150В 87А 9,3мОм SuperSO8 |
INF |
149 шт отгрузка 1–3 дня |
131,36 ₽ |
|
|
|
IPT007N06NATMA1 |
Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF |
INF |
996 шт отгрузка 1–3 дня |
352,08 ₽ |
|
|
|
BF999E6327HTSA1 |
Полевой транзистор MOSFET N-канальный радиочастотный 20В 30мА 200мВт 300МГц Tch=150°C |
INF |
1022 шт отгрузка 1–3 дня |
39,77 ₽ |
|
|
SCT30N120 |
Полевой транзистор N-канальный 1200В 45A HIP247 |
STM |
75 шт отгрузка 1–3 дня |
2763,18 ₽ |
|
|
C2M0160120D |
Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Wolfspeed |
121 шт отгрузка 1–3 дня |
1208,89 ₽ |
|
|
IRF1010NSTRLPBF |
Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке |
INF |
85 шт отгрузка 1–3 дня |
135,63 ₽ |
|
|
RD07MVS1-T512 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C |
MIT |
375 шт отгрузка 1–3 дня |
451,18 ₽ |
|
|
RD15HVF1-101 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C |
MIT |
1383 шт отгрузка 1–3 дня |
962,55 ₽ |
|
|
RD30HVF1 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recommended replacement: RD35HUP2) |
MIT |
10 шт отгрузка 1–3 дня |
2648,28 ₽ |
|
|
RD70HHF1-101 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 20А 150Вт 30МГц Tch=175°C |
MIT |
30 шт отгрузка 1–3 дня |
4687,88 ₽ |
|
|
RD06HVF1-501 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 175МГц Tch=150°C |
MIT |
17 шт отгрузка 1–3 дня |
841,84 ₽ |
|
|
RD06HHF1-501 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 30МГц Tch=150°C |
MIT |
27 шт отгрузка 1–3 дня |
1155,74 ₽ |
|
|
|
RD01MUS2-T513 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 7.2 В 1 Вт 520МГц Tch=150°C |
MIT |
590 шт отгрузка 1–3 дня |
96,33 ₽ |
|
|
BF998E6327HTSA1 |
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 12В 30мА 200мВт 1ГГц Tch=150°C |
INF |
3684 шт отгрузка 1–3 дня |
32,35 ₽ |
|
|
MMBFU310LT1G |
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт |
ONS |
654 шт отгрузка 1–3 дня |
27,75 ₽ |
|
|
MMBF5457 |
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт |
ONS |
2937 шт отгрузка 1–3 дня |
37,90 ₽ |
|
|
MMBFJ270 |
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт |
ONS |
2836 шт отгрузка 1–3 дня |
32,51 ₽ |
|
|
MMBFJ176 |
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт |
ONS |
1951 шт отгрузка 1–3 дня |
48,06 ₽ |
|
|
MMBFJ202 |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом N-канальный 40В 350мВт |
ONS |
1161 шт отгрузка 1–3 дня |
27,79 ₽ |
|
|
MMBF4391LT1G |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В |
ONS |
2895 шт отгрузка 1–3 дня |
21,56 ₽ |
|
|
MMBF4393LT1G |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт |
ONS |
4427 шт отгрузка 1–3 дня |
20,33 ₽ |
|
|
MMBF4392LT1G |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт |
ONS |
2058 шт отгрузка 1–3 дня |
22,93 ₽ |
|
|
MMBFJ112 |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт |
ONS |
7077 шт отгрузка 1–3 дня |
22,74 ₽ |
|
|
MMBFJ113 |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт |
ONS |
3290 шт отгрузка 1–3 дня |
24,35 ₽ |
|
|
J113 |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт |
ONS |
325 шт отгрузка 1–3 дня |
29,60 ₽ |
|
|
MMBFJ201 |
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт |
ONS |
4767 шт отгрузка 1–3 дня |
24,67 ₽ |
|